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DS1230Y-200IND
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DS1230Y-200IND技术资料
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DS1230Y-200IND
存储器芯片
制造厂商：
美信半导体(Maxim Integrated)
功能简述：
IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28EDIP
原厂封装：
28-EDIP
优势价格，DS1230Y-200IND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DS1230Y-200IND的技术资料下载
DS1230Y-200IND的功能参数资料 - 美信半导体(Maxim)提供
Maxim美信公司完整型号：DS1230Y-200IND
制造厂家名称：Maxim Integrated（美信半导体）
描述：IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28EDIP
系列：-
格式 - 存储器：RAM
存储器类型：NVSRAM（非易失 SRAM）
存储容量：256K（32K x 8）
速度：200ns
接口：并联
电压 - 电源：4.5 V ~ 5.5 V
工作温度：-40°C ~ 85°C
封装样式：28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）
原厂封装：28-EDIP
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